주기억장치 개념

주기억장치 개념

기억장치 or 저장장치

-일시적 기억장치

-영구 보존 장치

-비휘발성 메모리

메모리는 대체로 주기억장치라 말하며 RAM을 가르키는 경우가 많다.

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메모리는 비휘발성 메모리와 휘발성 메모리로 나뉜다.

비휘발성 메모리(Non-volatile memory,NVM,NVRAM)

설명

-제2차 저장장치(secondary storage)로 장기장의 영구적 저장공간

-전원 공급이 되지 않아도 저장된 정보를 유지

종류

-롬/플래시메모리/마그네특 기억장치(하드디스크,디스켓 드라이브,마그네특 테이프)

휘발성 메모리(volatile memory,VRAM)

설명

-제1차 저장장치로 저장된 정보를 유지하기 위해 전기를 요구. 임시메모리라고도 함

종류

-동적램(DRAM),정적램(SRAM)을 포함한 랜덤 액세스 메모리(RAM)등이 대표적 휘발성 메모리

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동적램(DRAM) 

설명

-임의 접근 기억장치(Random Access Momory)의 한 종류로 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기  분리된 전기 저장  장치(축전기)에 저장하는 기억장치

-축전기가 전자를 누전하여 기억된 정보를 잃음.

-기억장치 내용을 일정시간마다 재생되는 것을 동적(Dynamic)이라 명칭함.

-정보유지를 위해 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 휘발성 장치에 속함.

정적램(SRAM) 

설명

- 동적램(DRAM)과 달리 기억장치에 전원이 공급된다면 그 내용이 보존 됌. 

-임의 접근 기억장치(Random Access Momory)이므로 데이터를 쓰고 읽기가 이루어진 주소와 관계없이 입출력에 걸리시간이 일정함

-각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두쌍의 인버터에 저장된다. 두쌍의 인버터가 0과1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행. 따라서 한개의 비트를 저장하기 위해서 는 여섯개의 트랜지스터가 필요

-회로의 대칭 구조로 인해 DRAM 보다 훨씬 빠른 입출력 가능